PCB-ul cu bază ceramică este un tip special de placă de circuit imprimat care utilizează materiale ceramice ca bază și sunt acoperite cu un strat conductor de metal (de obicei cupru sau aluminiu) pe suprafață. Sunt utilizate în principal pentru a suporta componente electronice de-putere mare și de-frecvență înaltă. Prin combinarea conductibilității termice excelente, a izolației electrice și a rezistenței la temperatură înaltă a ceramicii cu o bună conductivitate electrică a stratului de metal, substraturile ceramice au devenit componente de bază în echipamentele electronice de ultimă generație, cum ar fi vehiculele cu energie nouă, invertoarele fotovoltaice, stațiile de bază 5G și modulele semiconductoare de mare-putere.
Tipurile de substraturi ceramice pot fi clasificate din două perspective principale: materiale și procese de fabricație.
| Desemnator | Cod | Numărul piesei | Producător | Cantitate | |||
| C1, C4, C20, C182, C191 | NP0-0402-50 V-100 pF±5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104 | X5R-0402-50 V-220 nF+-10 % | 8 | 400 | ||||
| C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190 | X7R-0402-50 V-100 nF+-10 % | 70 | 3500 | 7000 | |||
| C5, C9, C10, C91 | X7R-0402-50 V-1 nF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C21, C22, C23 | X7R-0402-25 V-1 µF+-10 % | GRM155R61E105KA12D | 3 | 450 | 300 | ||
| C29, C42 | X7R-0402-50 V-220 pF+-10 % | 2 | 300 | 800 | 200 | ||
| C32, C33, C35, C36 | X5R-0201-10 V-100 nF+-10% | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C38, C39, C40, C41, C46, C56 | X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C43, C44, C45, C63 | X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C48, C49, C50, C67 | X5R-0603-10 V-22 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C57, C58, C59, C167 | NP0-0402-50 V-22 pF±5 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183 | X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 % | 9 | 450 | 900 | |||
| C72, C73, C74, C172, C175 | X7R-0402-50 V-10 nF+-10 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C75, C76, C77, C78 | X7R-1206-50 V-10 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C81, C90 | X7R-0402-50 V-22 nF+-10 % | 2 | 300 | 200 | |||
| C82, C83, C163, C164, C178, C179 | X6S-0402-16 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C85 | X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C86 | NP0-0603-50 V-47 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C87, C88, C89 | X7R-1210-10 V-47 µF+-10 % | 3 | 150 | 300 | |||
| C105, C106, C109, C111, C149, C150 | NP0-0402-50 V-33 pF±5 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180 | X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 % | 26 | 1300 | 2600 | |||
| C147 | 10TPB220M | Panasonic | 1 | 100 | |||
| C148 | X5R-1210-16 V-100 µF±20 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C151 | X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C174 | X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C176, C177 | EEFK1H470XP | Panasonic | 2 | 200 | |||
| C192 | NP0-0402-50 V-220 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| DA1, DA2, DA3 | SGM2576YN5G/TR | SGMicro | 3 | 300 | |||
| DA4, DA5, DA6, DA10 | SY98003AQNC | Silergie | 4 | 400 | |||
| DA7, DA8 | LD39050PUR | STMicroelectronics | 2 | 200 | |||
| DA9 | MPQ4316GRE-AEC1 | MPS | 1 | 100 | |||
| DA11 | LM74800QDRRRQ1 | Texas Instruments | 1 | 100 | |||
| DA12 | SY8089AAC | Silergie | 1 | 100 | |||
| DA13 | LP5907MFX-1.2/NOPB | Texas Instruments | 1 | 100 | |||
| DD1 | 2N7001TDPWR | Texas Instruments | 1 | 100 | |||
| DD2 | FUSB302BMPX | Onsemi | 1 | 100 | |||
| DD3 | MCP2542FDT-H/MF | Tehnologia Microcipului | 1 | 100 | |||
| DD4 | XS9922B | Chipup | 1 | 100 | |||
| DD6 | MS1836S | Macrosiliciu | 1 | 100 | |||
| DD7 | PCA9617ADPJ | Nexperia | 1 | 100 | |||
| FB1, FB14 | BLM18PG121SN1D | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB2, FB3 | BLM18KG121TN1 | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10 | BLM18EG601SN1D | Murata | 7 | 350 | 700 | ||
| FB11 | FBMH1608HM101-T | Taiyo | 1 | 50 | 100 | ||
| L1 | SPM5030T-4R7M-HZ | Vishay | 1 | 50 | 100 | ||
| L2 | LQM2HPN2R2MGSL | Murata | 1 | 50 | 100 | ||
| MP1, MP2, MP3, MP4 | 9774020633R | NOI | 4 | 400 | |||
| MP5, MP6, MP7, MP8 | 9774050243R | NOI | 4 | 400 | |||
| R1, R3, R26, R126 | 0402-100 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224 | 0402-0 Ω+-5 % | 41 | 2050 | 4100 | |||
| R7 | 0402-12 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109 | 0402-1 kΩ+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R9 | 0603-1 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R10, R179, R180, R181 | 0603-1,5 kΩ+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227 | 0402-10 kΩ+-1 % | 14 | 700 | 1400 | |||
| R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131 | 0402-100 kΩ+-1 % | 17 | 850 | 1700 | |||
| R25, R59, R90, R108, R123 | 0402-20 kΩ+-1% | 5 | 250 | 500 | |||
| R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35 | 0402-590 Ω+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R29 | 0402-27 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R39, R40 | 0402-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R41, R42, R43 | 0402-47 kΩ+-1 % | 3 | 450 | 300 | |||
| R44 | 0402-1,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R45 | 0603-120 Ω+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R49 | 0402-8,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R52, R94, R95, R113, R120 | 0603-0 Ω+-5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| R56, R57 | 0603-5,1 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R60, R63, R64, R65 | 0402-2,2 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R67, R82, R91, R124 | 0402-2,2 kΩ+-1% | 4 | 200 | 400 | |||
| R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132 | 0402-100 kΩ+-5 % | 11 | 550 | 1100 | |||
| R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230 | 0402-4,7 kΩ+-1 % | 21 | 1050 | 2100 | |||
| R87 | 0402-31,6 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R89 | 0402-120 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R96 | 0402-4,3 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R97 | 0402-75 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R98 | 0402-51 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R100, R102 | 0402-39 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R101 | 0402-15 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R103 | 0402-30 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R110 | 0402-330 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R115, R116 | 0603-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R119, R147 | 0402-75 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R135, R136 | 0402-0 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R148 | 0402-10 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R152 | 0402-22 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R154 | 0402-1 MΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R160 | 0402-4,02 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R169, R170 | 0805-0,033 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R182 | 0402-1 kΩ+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| SB1, SB2 | B3U-3000P | Omron | 2 | 200 | |||
| VD1, VD17 | ESD5Z2.5T1G | ON Semiconductor | 2 | 200 | |||
| VD2 | SMBJ40CA-TR | STMicroelectronics | 1 | 100 | |||
| VD3, VD10, VD19 | GNL-0603GC | G-nici | 3 | 300 | |||
| VD4, VD18 | GNL-0603EC | G-nici | 2 | 200 | |||
| VD5, VD8 | MBR0540 | Hottech | 2 | 200 | |||
| VD6, VD7, VD12, VD13 | ESD73034D | Public tehnic | 4 | 400 | |||
| VD9 | SMF05C.TCT | Semtech | 1 | 100 | |||
| VD14, VD16, VD21 | PRTR5V0U2AX,215 | Nexperia | 3 | 300 | |||
| VD20 | GNL-0603UYOC | G-nici | 1 | 100 | |||
| VT1, VT3, VT4, VT5, VT7 | 2N7002DW | Hottech | 5 | 500 | |||
| VT2, VT6 | WNM6002-3/TR | Willsemi | 2 | 200 | |||
| VT8, VT9 | WMQ30N06TS | Wayon | 2 | ||||
| VT10 | IRLML2502 | UMW | 1 | 100 | |||
| XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15 | SM03B-SRSS-TB | JST | 9 | 900 | |||
| XP5, XP11 | SM04B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP6, XP10 | SM05B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP8, XP9 | SM06B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XS2, XS3, XS4, XS5 | AXK5F80547YG | Panasonic | 4 | 400 | |||
| XS6 | 10118241-001RLF | Amphenol | 1 | 100 | |||
| XS8, XS9 | 1054500101 | Molex | 2 | 200 | |||
| XS11 | 1759503-1 | TE Connectivity | 1 | 100 | |||
| XS12 | 5034802400 | Molex | 1 | 100 | |||
| XS13 | 245804030000829+ | Kyocera AVX | 1 | 100 | |||
| ZQ1, ZQ2 | X322527MOB4SI | YXC | 2 | 200 |
Clasificare după material ceramic
Aceasta este cea mai fundamentală metodă de clasificare, deoarece diferitele materiale determină caracteristicile cheie de performanță ale substratului.
Substraturi de alumină (Al₂O₃).
În prezent, cel mai utilizat material ceramic de substrat în industria electronică. Ele oferă performanțe generale excelente, rezistență mecanică ridicată, stabilitate chimică bună, materii prime abundente și costuri relativ scăzute. Ele sunt aplicate pe scară largă în microelectronică, electronică de putere și microelectronica hibridă.
Substraturi cu nitrură de aluminiu (AlN).
Caracterizat printr-o conductivitate termică extrem de ridicată (de obicei, mai mare sau egală cu 170 W/(m·K)) și un coeficient de dilatare termică bine adaptat cipurilor de siliciu, făcându-le o alegere ideală pentru aplicațiile de management termic de-înaltă performanță. Cu toate acestea, necesită o puritate foarte mare a materialului și un control strict al procesului.
Substraturi cu nitrură de siliciu (Si₃N₄).
Deși sunt menționate fără explicații detaliate în materialul sursă, ele sunt în general cunoscute pentru rezistența lor mecanică excelentă și rezistența la șocuri termice, făcându-le potrivite pentru aplicații cu cerințe ridicate de fiabilitate.
Substraturi de oxid de beriliu (BeO).
Posedă o conductivitate termică chiar mai mare decât cea a aluminiului metalic, dar aplicarea lor este strict limitată din cauza toxicității materialului.
Clasificare după Procesul de Fabricare
Procesele de fabricație diferite determină structura, performanța și costul substratului și sunt factori cheie în distingerea tipurilor de produse.
HTCC (ceramică cu ardere la-temperatură înaltă)
Sinterizat la temperaturi ridicate de 1300–1600 de grade , folosind metale cu punct de topire înalt--cum ar fi wolfram și molibden ca conductori. Procesul este matur, dar costul este relativ mare și conductivitatea electrică a straturilor metalice este relativ slabă.
01
LTCC (ceramică ardetă cu-temperatură scăzută)
Sinterizat la 850–900 de grade, permițând utilizarea metalelor cu o conductivitate electrică mai bună, cum ar fi argintul, aurul și cuprul. Poate realiza structuri complexe cu mai multe straturi și este potrivit pentru module de înaltă-frecvență și foarte integrate.
02
DBC (Cupru lipit direct)
Folia de cupru este legată direct de substratul ceramic printr-un proces eutectic la temperatură înaltă{0}. Dispune de rezistență termică scăzută, capacitate de transport de curent-înaltă și fiabilitate ridicată, făcându-l unul dintre cele mai populare substraturi ceramice pentru dispozitivele-de mare putere de astăzi.
03
DPC (Cupru placat direct)
Utilizează tehnologia de procesare a filmului subțire-pentru a galvaniza direct cuprul pe suprafața substratului ceramic pentru a forma modele de circuite. Permite o mare precizie și lățimi fine a liniilor și s-a dezvoltat rapid în ultimii ani, devenind o tehnologie aplicată pe scară largă.
04
LAM (Metalizare activată cu laser)
Utilizează tehnologia laser pentru a forma circuite metalice fine pe suprafața ceramică, făcându-l potrivit pentru dispozitive de înaltă{0}}precizie și miniaturizate.
05
PCB-ul de bază din ceramică are următoarele caracteristici principale:
Caracteristică
Conductivitate termică ridicată
Substraturile ceramice au o conductivitate termică relativ ridicată. De exemplu, conductivitatea termică a unui substrat ceramic cu alumină este de 25–35 W/(m·K), în timp ce cea a unui substrat ceramic cu nitrură de aluminiu poate ajunge la 170–230 W/(m·K). Această conductivitate termică ridicată oferă substraturilor ceramice o performanță excelentă de disipare a căldurii, făcându-le deosebit de potrivite pentru dispozitivele electronice de-putere mare.
Rezistență mecanică și stabilitate ridicată
Substraturile ceramice au rezistență și duritate ridicate și pot menține stabilitatea în medii dure. Coeficientul lor de dilatare termică este apropiat de cel al siliciului, ceea ce simplifică procesul de fabricație al modulelor de putere. În plus, substraturile ceramice se comportă bine în condiții de fluctuații severe de temperatură și demonstrează performanțe fiabile de ciclu termic, cu numărul de cicluri atingând până la 50.000.
Performanță excelentă de izolare
Substraturile ceramice prezintă performanțe excelente de izolare și sunt potrivite pentru aplicații care necesită rezistență dielectrică ridicată. Au o constantă dielectrică scăzută și caracteristici bune de-frecvență înaltă, ceea ce le face foarte potrivite pentru circuite de-frecvență înaltă.
Stabilitate chimică excelentă
Substraturile ceramice prezintă o stabilitate chimică remarcabilă și pot menține performanțe superioare în medii oxidative sau corozive cu temperatură înaltă-. Nu se corodează ușor.
Structura
Structura de bază a unui substrat ceramic constă de obicei dintr-un material de bază ceramic, un strat de metal și un strat adeziv. În mod specific, un substrat ceramic se referă la o placă special prelucrată în care folia de cupru este direct legată de suprafața unui substrat ceramic de alumină (Al₂O₃) sau nitrură de aluminiu (AlN) la temperaturi ridicate. Acest substrat compozit ultra-subțire are o izolație electrică excelentă, conductivitate termică ridicată, lipibilitate superioară și aderență puternică. În plus, poate fi gravat în diferite modele, cum ar fi un PCB convențional, și oferă o capacitate mare de transport de curent-.
Structuri detaliate ale diferitelor tipuri de substraturi ceramice
Ceramică cu ardere la-temperatură ridicată- (HTCC)
Costul de producție al acestui tip de substrat este relativ ridicat, iar conductivitatea sa termică variază în general între 20 și 200 W/(m·K), în funcție de compoziția și puritatea pulberii ceramice.
01
Ceramică ardetă cu-temperatură joasă- (LTCC)
La pulberea de alumină se adaugă materiale de sticlă cu punct de topire -scăzut-, permițând utilizarea metalelor foarte conductoare, cum ar fi aurul și argintul ca materiale pentru electrozi și cablaje.
02
Substrat ceramic gros-Imprimat pe film (TPC)
Acest tip de substrat este fabricat utilizând un proces de imprimare-serigrafică și prezintă o procedură simplă de fabricație. Este potrivit pentru ambalarea dispozitivelor electronice cu cerințe scăzute pentru acuratețea circuitelor, cum ar fi modulele electronice auto.
03
Substrat ceramic din cupru lipit direct (DBC).
În condiții de temperatură-înaltă, folia de cupru și substratul ceramic sunt lipite ferm printr-un proces de lipire eutectică, rezultând o rezistență ridicată a lipirii și o conductivitate termică excelentă. Este utilizat pe scară largă pentru disiparea căldurii în dispozitive precum tranzistoarele bipolare cu poartă izolată (IGBT) și componentele laser.
04
Substrat ceramic pentru lipire metalică activă (AMB).
Acest tip de substrat realizează lipirea între substratul ceramic și folia de cupru prin lipire care conține elemente active sau-pământoase rare. Oferă rezistență și fiabilitate ridicate și este potrivit pentru aplicațiile de ambalare de-înaltă densitate.
05
Aplicație
1. În domeniul electronicii, substraturile ceramice sunt purtători ideali pentru componentele electronice, cum ar fi circuitele integrate, modulele de putere și dispozitivele RF. Cu rezistență ridicată, duritate ridicată, rezistență ridicată la uzură, performanță excelentă de izolație și stabilitate termică, acestea asigură o funcționare stabilă și o transmisie eficientă a semnalului în echipamentele electronice. Aplicațiile substraturilor ceramice includ, dar nu se limitează la, module semiconductoare de mare-putere, circuite de control al puterii, surse de alimentare cu comutare de-frecvență înaltă, relee cu stare solidă-, electronice auto, componente electronice aerospațiale și militare și ansambluri de panouri solare.
2. În domeniul comunicațiilor, substraturile ceramice pot fi fabricate în componente precum filtre cu microunde, antene, divizoare de putere, cuple și izolatori. Aceste componente joacă un rol crucial în sistemele de comunicații, oferind rezistență mecanică și conductivitate termică excelente.
3. În domeniul optic, substraturile ceramice sunt folosite ca baze pentru lasere, oferind o bună conductivitate termică și rezistență mecanică. Ele sunt, de asemenea, utilizate pentru fabricarea diferitelor componente pentru comunicațiile cu fibră-optică, cum ar fi multiplexoarele cu diviziune a lungimii de undă și controlerele de polarizare.
4. În domeniul medical, substraturile ceramice sunt utilizate pe scară largă în dispozitivele medicale de ultimă generație-, inclusiv senzori biomedicali și organe artificiale, datorită biocompatibilității excelente și stabilității chimice. De exemplu, substraturile ceramice pot fi folosite pentru fabricarea articulațiilor artificiale și a materialelor de restaurare dentară, oferind o bună biocompatibilitate și proprietăți estetice.
5. În domeniul aerospațial, substraturile ceramice sunt utilizate pentru fabricarea componentelor motoarelor, a acoperirilor de barieră termică, a căptușelii camerei de ardere și a pieselor de nave spațiale. Cu rezistență ridicată, rezistență la radiații și rezistență la temperatură înaltă-, acestea oferă suport de încredere în medii extreme, asigurând funcționarea stabilă a sistemului în condiții de-viteză mare, temperatură-înaltă și-radiații ridicate.
6. Produsele de substrat ceramic ale companiei noastre includ PCB-uri ceramice multistrat și antene PCB 5G.
Produs personalizat
Majoritatea produselor noastre sunt personalizate pe baza fișierelor Gerber originale furnizate de clienții noștri.
După ce primim fișierele Gerber originale, le convertim în fișiere Gerber funcționale pentru producție.
În timpul acestui proces de conversie, ajustăm anumiți parametri-cum ar fi diametrul găurii, lățimea urmelor și distanța dintre urme-pentru a optimiza fabricabilitatea și a asigura o producție lină.
Pachet si garantie
Toate produsele noastre sunt ambalate în vid-cu desicant pentru a asigura o protecție optimă în timpul depozitării și transportului.
Perioada de valabilitate a plăcilor de circuite-ambalate în vid variază în funcție de procesul de tratare a suprafeței, variind de obicei de la 3 la 12 luni. Detaliile sunt următoarele:
Perioada de valabilitate pentru diferite procese de tratare a suprafețelor
ENIG (aur cu imersie în nichel fără electro)
Poate fi depozitat până la 12 luni sub ambalare sub vid cu protecție desicant.
HASL-Fără plumb (nivelare prin lipire cu aer cald)
Când nu se fac ajustări speciale de depozitare, termenul de valabilitate este de obicei de aproximativ 3 luni.
OSP (Conservator organic de lipit)
Are o durată de valabilitate de 3-6 luni sub ambalare sub vid cu protecție desicant. Cu toate acestea, dacă este depozitat necorespunzător (de exemplu, fără desicant sau cu etanșare insuficientă în vid), perioada de valabilitate se poate scurta la aproximativ 3 luni.
Aur de imersie (placare cu aur chimic)
Perioada de valabilitate poate ajunge la 6-12 luni, cu condiția să se utilizeze ambalaje sigilate și desicant.
Avantajul companiei
1. Garantăm un răspuns în termen de 24 de ore la toate întrebările și reclamațiile clienților.
2. Fabrica noastră oferă producție de mostre de 1-zi pentru plăci cu 2 straturi și oferă servicii de producție rapidă pentru comenzi mici și mijlocii, asigurând termene scurte de livrare și livrare la timp.
3. Acceptăm mai multe opțiuni de plată, inclusiv EUR, USD, RUB și CNY, prin PayPal, T/T și alte metode convenabile.
Tag-uri populare: PCB de bază de ceramică, China producători de PCB de bază de ceramică, furnizori

